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HVC 고전압 다이오드는 전압 3배 및 4배 증폭기 회로에 사용할 수 있습니까?
요약 보고서 · 주요 엔지니어링 특징
네, HVC 캐패시터의 HVD 시리즈 고전압 실리콘 스택 정류 다이오드는 콕크로프트-월튼 전압 증배 회로용으로 특별히 설계되었습니다.
2026-07-11· 읽다 0 시대
네, HVC Capacitor의 HVD 시리즈 고전압 실리콘 스택 정류 다이오드는 전압 배가기, 삼배기, 사배기 및 계단식 고전압 발생기 토폴로지를 포함한 Cockcroft-Walton 전압 배율 회로용으로 특별히 설계되었습니다.
HVD 다이오드 제품군은 증폭기 응용 분야에 필수적인 주요 특성을 갖추고 있습니다.
- 높은 역전압 정격: 개별 다이오드 소자의 정격 전압이 2kV에서 20kV까지 다양하여 소형 다단 스택 구성이 가능합니다.
- 초고속 회복 시간: 수백 kHz에 이르는 고주파 AC 입력 승산기에서 스위칭 손실을 최소화합니다.
- 낮은 접합 용량: 단계 간 기생 결합을 줄여 증폭 효율을 향상시킵니다.
- 높은 서지 전류 성능: 초기 커패시터 충전 주기 동안 발생하는 돌입 전류 과도 현상을 견뎌냅니다.
일반적인 응용 분야로는 X선관 전원 공급 장치, 레이저 여기 시스템, CRT 디스플레이 및 10kV에서 100kV 이상의 안정적인 직류 출력 전압이 필요한 과학 기기 등이 있습니다.
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