제품/구성 요소 포트폴리오
구성 요소 아키텍처, 전압 범위 및 적용 분야 요구 사항에 따라 HVC 커패시터 제품군을 찾아보세요.
각 제품군은 사양, 부품 번호 및 호환 교체 부품에 대한 자세한 정보를 포함하는 자체 기술 페이지를 제공합니다.
1kV~70kV · N4700/Y5T 유전체 세라믹
N4700(1급, 저손실) 및 Y5T(2급, 고체적 효율) 유전체를 사용하는 1kV~70kV 범위의 방사형 리드 세라믹 디스크입니다. 낮은 손실 계수와 정격 전압 이상에서 넓은 절연 강도 여유를 제공하며, 난연 코팅 처리된 본체는 스루홀 조립 및 컨포멀 코팅에 적합합니다. 일반적인 용도: X선 발생기, 레이저 구동기 및 정전기 장비에서 직류 차단, 스너버 네트워크, 전압 증배기 및 에너지 저장 장치 등, 전체 작동 전압에 걸쳐 안정적인 정전 용량이 회로 동작을 결정하는 분야에 사용됩니다.
20kV~150kV · 나사 단자 장착
20kV~150kV의 최고 전압 레일에 사용되는 스크류 단자형 세라믹 커패시터입니다. 나사산 스터드와 두꺼운 전극은 펄스 및 고전류 방전 부하에 적합한 낮은 인덕턴스와 기계적으로 견고한 연결을 제공하며, 세라믹 본체는 높은 RMS 리플과 반복적인 서지에도 용량 손실 없이 견딜 수 있습니다. 일반적인 용도: 마르크스 발생기, 커패시터 뱅크, 펄스 전력 증폭기, X선 및 CT 고전압 탱크, CO2 레이저 전원 공급 장치 등 연결 자체가 유전체와 동일한 스트레스를 견뎌야 하는 곳에 사용됩니다.
고에너지 · RF 전력 시스템 응용 분야
본 세라믹 커패시터는 Vishay Cera-Mite TOS 및 High Energy Corp HT50/HT57/HT58/HT59 시리즈를 완벽하게 대체하도록 설계되었으며, 13.56MHz 및 27.12MHz RF 전력 시스템에 적합합니다. 금속 전극과 접합 구조로 연속적인 RF 전류와 반복적인 열 사이클링에도 용량 변화 없이 안정적으로 작동합니다. 일반적인 적용 분야는 유도 가열, RF 증폭기, 임피던스 매칭 네트워크 및 플라즈마 전원 공급 장치 등이며, 이러한 분야에서는 ESR, 온도 상승 및 전류 처리 능력이 용량 자체보다 훨씬 중요합니다.
AC 안전 · IEC/UL 인증 커패시터 시리즈
X1/Y1 등급 안전 인증을 받은 세라믹 디스크 커패시터는 라인 단락 및 라인 바이패스 용도로 사용됩니다. IEC 60384-14.3 규격을 준수하며, 400Vac 정격에 방사형 리드를 갖추고 있습니다. 이 커패시터는 라인 단락 대신 안전하게 차단되도록 설계되어 일반 세라믹 커패시터로는 사용할 수 없는 EMI 필터링 및 가전제품, 조명, 산업 제어 장치의 전원 입력단에 적합합니다. 적절한 등급의 커패시터를 선택하는 것은 최종 제품이 테스트 대상 안전 표준을 준수하는 데 매우 중요합니다.
평면형/튜브형 · 0.1% 공차
평면형 및 튜브형 고전압 후막 저항기는 EBG MTX969, Ohmite ARCOL AR3, Nicrom MS500/P500, 3RLab UT 및 Metallux HVR 969 시리즈를 완벽하게 대체하도록 설계되었습니다. 0.1%의 정밀도로 트리밍되었으며 온도 드리프트가 적어 낮은 전압에서만 정확도가 저하되는 것이 아니라 전체 작동 전압 범위에서 정확도를 유지합니다. 일반적인 용도는 고전압 분배기, 누출 및 방전 경로, X선 전류 감지, 저전압/부분 방전 시험 장비 등입니다.
빠른 복구 · 높은 서지 전류 저항
1kV~45kV, 5mA~2.5A 범위의 고전압 정류 다이오드를 273가지 규격으로 제공하며, 20ns까지의 초고속 복구 특성을 자랑합니다. HVCA, EDI, VMI, Sanken 등의 부품을 대체할 수 있습니다. 빠른 복구 속도와 높은 서지 전류 저항성을 갖춘 이 제품은 X선 발생기, 레이저 및 커패시터 충전 전원 공급 장치, 고전압 증배기 등의 정류 용도에 적합하며, 이러한 장치에서는 순방향 전압 강하보다 역방향 복구 손실과 서지 내성이 신뢰성을 좌우합니다.
선정 가이드 및 엔지니어링 참고 사항
이 제품군과 함께 유전체 선택, 부분 방전 한계, 열 설계 및 드롭인 교체에 관한 새로운 기술 논문이 발표되었습니다.
위상 배열 열화상 뱅크는 60°C 환경에서 ±1%의 채널 정합률과 0.18%의 정전 용량 안정성을 요구합니다. 470µF 채널당 에너지, 직렬 전압 불균형, ESR 자체 발열 및 4.2kJ의 배열 이미지를 안정적으로 유지하는 데 필요한 커패시터 매개변수를 분석했습니다.
CFRP 와전류 펄스 열화상 촬영은 0.94K 신호를 사용하므로, 샷 간 ±3%의 에너지 오차로 인해 얕은 박리가 가려질 수 있습니다. 200kHz에서의 표피 깊이, 에너지 오차 방정식, 그리고 결함 대비를 여기 잡음 이상으로 유지하는 뱅크 파라미터가 제시됩니다.
열 차폐 코팅 플래시 뱅크는 1ms 이내에 10kJ의 에너지를 전달하여 1.5K~3K의 명암비에서 300µm 두께의 박리를 육안으로 확인할 수 있도록 합니다. 윈도우 선택은 t = d²/α 공식을 사용하며, 에너지 반복성은 ±1%이고, ESR(등가 직렬 저항)은 램프의 펄스 폭 제어를 담당합니다.
Bi-LSTM 분류기는 모든 픽셀의 온도 감소를 읽으므로 ±10%의 플래시 에너지 산포는 0.3mm의 균열처럼 보입니다. 또한 ±1%의 샷 간 반복성, 20mK의 카메라 노이즈 플로어, 트리거 지터, 그리고 입력 분포를 일정하게 유지하는 커패시터 파라미터도 고려해야 합니다.
UHF 부분 방전 분류는 300MHz~3GHz 대역에서 코로나 방전 및 표면 추적 방전과 같은 부분 방전 현상을 구분합니다. 분류 기준은 커플링 커패시터이며, 커패시턴스는 ±2% 이내, 차단 드리프트는 ±30ppm/°C, 부분 방전 전류는 5pC 미만이어야 합니다. 또한, 각 등급별로 위상 게이팅 및 리콜 기능이 적용됩니다.
가장 빠른 펄스에서 나노초 PD 체인의 크기를 측정합니다. 체인 상승 시간은 실제 상승 시간의 0.3배, 커플링 ESL은 20 nH 미만, PD는 5 pC 미만, 샘플링 속도는 1 GS/s입니다. 100 MHz 체인은 1 ns 펄스를 3.6 ns로 늘리고 보고된 피크를 40%~60% 감소시킵니다.
기술 견적 / 6시간 이내 답변
기존 부품 번호, 목표 전압 또는 BOM을 보내주시면 적합한 HVC 커패시터 제품군을 찾아드리겠습니다.
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